对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTZD3152PT1G | AMI Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | Lead free / RoHS Compliant | 430mA | NTZD3152PT1GOSDKR | -55°C ~ 150°C (TJ) | Original-Reel® | - | 1 (Unlimited) | NTZD3152P | 250mW | 2 P-Channel (Dual) | 900 mOhm @ 430mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 175pF @ 16V | 2.5nC @ 4.5V | 20V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | 数据表 | 59242 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | YES | 6 | SILICON | 2 | 35 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2003 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 500mOhm | Tin (Sn) | ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD | -20V | 250mW | FLAT | 260 | -430mA | 40 | NTZD3152P | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 250mW | 10 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 900m Ω @ 430mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 175pF @ 16V | 2.5nC @ 4.5V | 12ns | 20V | 12 ns | 430mA | 6V | 0.43A | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 600μm | 1.7mm | 1.3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||
NTZD3152PT1H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | YES | 6 | 8.193012mg | SILICON | 2 | 35 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD | 250mW | FLAT | 未说明 | 未说明 | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 280mW | 10 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 900m Ω @ 430mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 175pF @ 16V | 2.5nC @ 4.5V | 12ns | 20V | 19 ns | 430mA | 6V | 0.43A | 0.9Ohm | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
NTZD3152PT5G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | 2 | 35 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD | -20V | 250mW | FLAT | 260 | -430mA | 40 | NTZD3152P | 6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 250mW | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 900m Ω @ 430mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 175pF @ 16V | 2.5nC @ 4.5V | 12ns | 20V | 12 ns | 430mA | 6V | 0.43A | 0.9Ohm | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 20 pF | 符合RoHS标准 | 无铅 |


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