AMI Semiconductor NTZD3152PT1G
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NTZD3152PT1G
137-NTZD3152PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
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NTZD3152PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NTZD3152PT1G详情
AMI Semiconductor NTZD3152PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-563
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
430mA
Other Names
NTZD3152PT1GOSDKR
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Original-Reel®
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
NTZD3152P
功率 - 最大
250mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
900 mOhm @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
Standard
NTZD3152PT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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