ON Semiconductor NUD3105DMT1G
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NUD3105DMT1G
1807-NUD3105DMT1G
PMIC - 配电开关,负载驱动器
SC-74, SOT-457
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ON SEMICONDUCTOR NUD3105DMT1G.PERIPHERAL DRIVER, 5V, 400mA, 6-SC-74, FULL REEL
--最小包装量--
NUD3105DMT1G详情
ON Semiconductor NUD3105DMT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
SwitchingFrequency
10kHz
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.2Ohm
附加功能
逻辑电平兼容
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NUD3105
引脚数量
6
输出的数量
2
输出电压
6V
输出类型
N-Channel
最大输出电流
300mA
界面
On/Off
元素配置
Dual
输出配置
低侧
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
380mW
输出电流
400mA
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
开关类型
Relay, Solenoid Driver
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
6V
下降时间(典型值)
30 ns
集电极发射器电压(VCEO)
6V
最大集电极电流
500mA
连续放电电流(ID)
500mA
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
6V
电压-负荷
6V Max
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏源击穿电压
6V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
900m Ω (Max)
漏源电阻
900mOhm
高度
990.6μm
长度
3.0988mm
宽度
1.7018mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NUD3105DMT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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