ON Semiconductor NUD3105DMT1G
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NUD3105DMT1G
1807-NUD3105DMT1G
PMIC - 配电开关,负载驱动器
SC-74, SOT-457
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ON SEMICONDUCTOR NUD3105DMT1G.PERIPHERAL DRIVER, 5V, 400mA, 6-SC-74, FULL REEL
--最小包装量--
NUD3105DMT1G详情
ON Semiconductor NUD3105DMT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
SwitchingFrequency
10kHz
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.2Ohm
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 供电
不需要
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NUD3105
引脚数量
6
输出的数量
2
输出电压
6V
输出类型
N-Channel
最大输出电流
300mA
界面
On/Off
元素配置
Dual
输出配置
低侧
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
380mW
输出电流
400mA
开关类型
Relay, Solenoid Driver
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
6V
下降时间(典型值)
30 ns
集电极发射器电压(VCEO)
6V
最大集电极电流
500mA
连续放电电流(ID)
500mA
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
6V
电压-负荷
6V Max
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏源击穿电压
6V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
900m Ω (Max)
漏源电阻
900mOhm
高度
990.6μm
长度
3.0988mm
宽度
1.7018mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NUD3105DMT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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