ON Semiconductor NUP2105LT1G
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NUP2105LT1G
1807-NUP2105LT1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS DIODE 24V 44V SOT23-3
--最小包装量--
NUP2105LT1G详情
ON Semiconductor NUP2105LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
26.2V
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
24V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
附加功能
LOW CAPACITANCE
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
30pF
最大功率耗散
350W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NUP2105
引脚数量
3
工作电源电压
24V
工作电压
24V
极性
双向
通道数量
2
泄漏电流
100nA
元素配置
Dual
箱体转运
CATHODE
电源线保护
无
峰值脉冲电流(10/1000μs)
8A 8/20μs
最大反向漏电电流
100nA
箝位电压
44V
电压 - 反向断态(典型值)
24V Min
峰值脉冲电流
8A
最大浪涌电流
8A
峰值脉冲功率
350W
无卤素
无卤素
测试电流
1mA
电容@频率
30pF @ 1MHz
最大击穿电压
32V
ESD保护
有
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NUP2105LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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