NUP6101DMR2
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ON Semiconductor NUP6101DMR2

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型号

NUP6101DMR2

utmel 编号

1807-NUP6101DMR2

商品类别

TVS - 二极管

封装

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TVS DIODE 5VWM 11VC 8MICRO

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NUP6101DMR2
NUP6101DMR2 ON Semiconductor TVS DIODE 5VWM 11VC 8MICRO

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NUP6101DMR2详情

ON Semiconductor NUP6101DMR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    6

  • Reverse Stand-off Voltage

    5V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 应用

    通用型

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 额定功率

    300W

  • 电压 - 额定直流

    6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 基本部件号

    NUP6101

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-PDSO-G8

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 电源线保护

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    17A 8/20μs

  • 箝位电压

    11V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    5V Max

  • 峰值脉冲电流

    17A

  • 峰值脉冲功率

    300W

  • 单向通道

    6

  • Rep Pk反向电压-最大值

    5V

  • 电容@频率

    400pF @ 1MHz

  • 击穿电压-最小值

    6V

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3.1mm

  • 宽度

    3.1mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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技术文档: ON Semiconductor NUP6101DMR2.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NUP6101DMR2相似的参数规格。

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NUP6101DMR2拓展信息

SZESD8472MUT5G
SZESD8472MUT5G

ON Semiconductor

ESDR7534W1T2G
ESDR7534W1T2G

ON Semiconductor

SZESD8451MUT5G
SZESD8451MUT5G

ON Semiconductor

FESD05P30ZL
FESD05P30ZL

ON Semiconductor

ESD9X3.3ST5G
ESD9X3.3ST5G

ON Semiconductor

ESD9B3.3ST5G
ESD9B3.3ST5G

ON Semiconductor

ESD5B5.0ST1G
ESD5B5.0ST1G

ON Semiconductor

MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT1G

ON Semiconductor

ESD9L5.0ST5G
ESD9L5.0ST5G

ON Semiconductor

ESD9X5.0ST5G
ESD9X5.0ST5G

ON Semiconductor

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