ON Semiconductor NV25160DWHFT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40°C~150°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q100

已出版

2008

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 供电

2.5V~5.5V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

1.27mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

16Kb 2K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

10MHz

访问时间

40ns

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

2KX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

4ms

记忆密度

16384 bit

并行/串行

SERIAL

串行总线类型

SPI

写入周期时间 - 最大值

4ms

长度

4.9mm

座位高度(最大)

1.75mm

宽度

3.9mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant