ON Semiconductor NV25512MUW3VTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-UFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40°C~125°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q100

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 供电

5V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N8

内存大小

512Kb 64K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

10MHz

访问时间

45ns

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

64KX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

记忆密度

524288 bit

并行/串行

SERIAL

编程电压

5V

写入周期时间 - 最大值

4ms

电压 - 供电 （最大值）

5.5V

电压 - 供电 （最小值）

2.5V

长度

3mm

座位高度(最大)

0.55mm

宽度

2mm

RoHS状态

符合RoHS标准