NVA4001NT1G
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ON Semiconductor NVA4001NT1G

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型号

NVA4001NT1G

utmel 编号

1807-NVA4001NT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-416

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET SC75 20V 238MA 1.5OH

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NVA4001NT1G
NVA4001NT1G ON Semiconductor MOSFET NFET SC75 20V 238MA 1.5OH

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NVA4001NT1G详情

ON Semiconductor NVA4001NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 包装/外壳

    SOT-416

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • Turn Off Delay Time

    98 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    300mW

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    60 ns

  • 连续放电电流(ID)

    238mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    20pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    1.5Ohm

  • 最大rds

    3 Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NVA4001NT1G相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Input Capacitance
    查看对比:
  • NVA4001NT1G

    NVA4001NT1G

    SOT-416

    20 V

    238 mA

    3 Ω

    10 V

    300 mW

    300 mW

    20 pF

  • NTA4151PT1H

    SC-75, SOT-416

    20V

    760 mA

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    6 V

    -

    301 mW

    -

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