ON Semiconductor NVB5405NT4G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16.5A Ta 116A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 150W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4000pF @ 32V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

88nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

116A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0058Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅