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'nvd5117pl'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

参考标准

JESD-30代码

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

分段数

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NVD5117PLT4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19 Weeks

Tin

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

11A Ta 61A Tc

4.5V 10V

1

4.1W Ta 118W Tc

50 ns

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2009

Automotive, AEC-Q101

e3

yes

LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

鸥翼

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

4.1W

DRAIN

22 ns

P-Channel

16m Ω @ 29A, 10V

4.8nF @ 25V

85nC @ 10V

195ns

60V

±20V

132 ns

11A

-1.5V

20V

0.022Ohm

60V

240 mJ

80

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01

ON Semiconductor

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

SILICON

11A Ta 61A Tc

4.5V 10V

1

4.1W Ta 118W Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

2

Tin (Sn)

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

AEC-Q101

R-PSSO-G2

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

P-Channel

16m Ω @ 29A, 10V

4800pF @ 25V

85nC @ 10V

60V

±20V

11A

0.022Ohm

419A

60V

240 mJ

not_compliant

ROHS3 Compliant