ON Semiconductor NVD5117PLT4G

工厂交货时间

19 Weeks

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

50 ns

Power Dissipation (Max)

4.1W Ta 118W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 61A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4.8nF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

上升时间

195ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

132 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

-1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

分段数

80

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅