ON Semiconductor NVD5484NLT4G

工厂交货时间

9 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.7A Ta 54A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.9W Ta 100W Tc

已出版

2013

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1410pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

54A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.017Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

305A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅