ON Semiconductor NVD5890NLT4G-VF01

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

DPAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A (Ta), 123A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

4W (Ta), 107W (Tc)

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

不用于新设计

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7 mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4760pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

--