ON Semiconductor NVD6415ANLT4G

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

3/2

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1024pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

91ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

71 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.056Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

79 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant