ON Semiconductor NVE4153NT1G
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NVE4153NT1G
1807-NVE4153NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-89, SOT-490
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ON SEMICONDUCTOR - NVE4153NT1G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 915 mA, 26 V, 0.127 ohm, 4.5 V, 760 mV
--最小包装量--
NVE4153NT1G详情
ON Semiconductor NVE4153NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
引脚数
3
质量
29.993795mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
915mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
300mW Tj
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
3.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
230m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.82nC @ 4.5V
上升时间
4.4ns
Vgs(最大值)
±6V
下降时间(典型值)
7.6 ns
连续放电电流(ID)
915mA
阈值电压
760mV
栅极至源极电压(Vgs)
6V
漏源击穿电压
20V
高度
800μm
长度
1.7mm
宽度
950μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVE4153NT1G拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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