NVF5P03T3G
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ON Semiconductor NVF5P03T3G

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型号

NVF5P03T3G

utmel 编号

1807-NVF5P03T3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223

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NVF5P03T3G
NVF5P03T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223

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NVF5P03T3G详情

ON Semiconductor NVF5P03T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.7A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.56W Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 引脚数量

    4

  • 元素配置

    Single

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100m Ω @ 5.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    950pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    38nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    3.7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NVF5P03T3G相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    查看对比:
  • NVF5P03T3G

    NVF5P03T3G

    TO-261-4, TO-261AA

    30V

    3.7 A

    3.7A (Ta)

    20 V

    1.56W (Ta)

    950pF @ 25V

    1 (Unlimited)

  • NTF5P03T3G

    TO-261-4, TO-261AA

    30V

    5 A

    3.7A (Ta)

    20 V

    1.56W (Ta)

    950pF @ 25V

    1 (Unlimited)

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