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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.388807
10
¥1.310199
100
¥1.23603
500
¥1.166072
1000
¥1.100066
ON Semiconductor NVGS3441T1G
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- 对比
NVGS3441T1G
1807-NVGS3441T1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVGS3441T1G详情
ON Semiconductor NVGS3441T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
表面安装
YES
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.65A Ta
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
500mW
引脚数量
6
元素配置
Single
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 3.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
480pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
23.5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
1.65A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.3A
漏源击穿电压
-20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVGS3441T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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