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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.695522
10
¥6.31653
100
¥5.958994
500
¥5.621691
1000
¥5.303479
ON Semiconductor NVMFS5885NLT1G
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- 对比
NVMFS5885NLT1G
1807-NVMFS5885NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVMFS5885NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5885NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
38 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.7W Ta 54W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
5
元素配置
Single
功率耗散
54W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1340pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 10V
上升时间
64ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
10.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
39A
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5885NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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