ON Semiconductor NVTFS4823NTAG
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NVTFS4823NTAG
1807-NVTFS4823NTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
--最小包装量--
NVTFS4823NTAG详情
ON Semiconductor NVTFS4823NTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 21W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
21W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
750pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
22ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
750μm
长度
3.15mm
宽度
3.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVTFS4823NTAG拓展信息
ON Semiconductor
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