ON Semiconductor NVTFS4C08NWFTWG

工厂交货时间

18 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 31W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1113pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

17A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55A

漏极-源极导通最大电阻

0.0059Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

253A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅