ON Semiconductor NVTR01P02LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

工厂交货时间

9 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 750mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.1nC @ 4V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅