ON Semiconductor NZD5V1MUT5G

工厂交货时间

38 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

0201 (0603 Metric)

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

容差

±5%

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

80Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 1.5V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1V @ 10mA

阻抗-最大

80Ohm

参考电压

5.1V

正向电压

1.1V

齐纳电压

5.1V

最大电压允差

4.9%

峰值反向电流

2μA

工作测试电流

5mA

齐纳电流

2μA

反向测试电压

1.5V

高度

330μm

长度

660μm

宽度

360μm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅