ON Semiconductor P3M12080G7

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

供应商器件包装

D2PAK-7

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

厂商

PN Junction Semiconductor

Power Dissipation (Max)

136W

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

P3M

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

96mOhm @ 20A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 30mA (Typ)

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+19V, -8V

场效应管特性

-