ON Semiconductor QED234

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)

引脚数

2

质量

284.4mg

形状

ROUND

半导体材料

GaAs

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C TA

包装

Bulk

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

类型

Infrared (IR)

端子表面处理

Tin (Sn)

额定功率

200mW

最大功率耗散

200mW

方向

顶视图

功能数量

1

深度

6.1mm

工作电源电压

1.5V

配置

SINGLE

功率耗散

200W

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.6V

视角

40°

正向电流

100mA

镜头风格

Circular, Colorless, Diffused

测试电流

20mA

大小

5mm

上升时间

1μs

波长 - 峰值

940 nm

反向电压

5V

辐射强度(Ie)Min@If

27mW/sr @ 100mA

高度

8.77mm

长度

6.1mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅