ON Semiconductor RFD16N05

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

72W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

MEGAFET

电压 - 额定直流

50V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

72W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

47m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 20V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

16A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.056Ohm

漏源击穿电压

50V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅