ON Semiconductor RFD16N05LSM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

MEGAFET

电压 - 额定直流

50V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

47m Ω @ 16A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

16A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.056Ohm

漏源击穿电压

50V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

双电源电压

50V

栅源电压

2 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅