ON Semiconductor RFP12N10L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

额定电流

12A

通道数量

1

电压

100V

元素配置

Single

电流

12A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 12A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

100V

高度

9.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅