ON Semiconductor RFP30N06LE
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RFP30N06LE
1807-RFP30N06LE
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
--最小包装量--
RFP30N06LE详情
ON Semiconductor RFP30N06LE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
96W Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
30A
螺纹距离
2.54mm
元素配置
Single
功率耗散
96W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
47mOhm @ 30A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
上升时间
88ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
+10V, -8V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
60V
双电源电压
60V
输入电容
1.35nF
漏源电阻
47mOhm
最大rds
47 mΩ
栅源电压
2 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
RFP30N06LE拓展信息
ON Semiconductor
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