RFP30N06LE
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ON Semiconductor RFP30N06LE

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型号

RFP30N06LE

utmel 编号

1807-RFP30N06LE

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

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RFP30N06LE ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

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RFP30N06LE详情

ON Semiconductor RFP30N06LE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    96W Tc

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    通孔

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 额定电流

    30A

  • 螺纹距离

    2.54mm

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    96W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    47mOhm @ 30A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1350pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    62nC @ 10V

  • 上升时间

    88ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    +10V, -8V

  • 下降时间(典型值)

    40 ns

  • 连续放电电流(ID)

    30A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 双电源电压

    60V

  • 输入电容

    1.35nF

  • 漏源电阻

    47mOhm

  • 最大rds

    47 mΩ

  • 栅源电压

    2 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

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