ON Semiconductor RURD620CCS9A-SB82215P

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件包装

I2PAK

Package

Tube

Base Product Number

PSMN8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

263W (Tc)

Product Status

Obsolete

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

6A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Avalanche

反向泄漏电流@ Vr

100 µA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 6 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5512 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

111 nC @ 10 V

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

200 V

漏源电压 (Vdss)

108 V

Vgs（最大值）

±20V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

场效应管特性

-

反向恢复时间(trr)

30 ns