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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.148896
10
¥2.027258
100
¥1.91251
500
¥1.804257
1000
¥1.702128
ON Semiconductor SBC847BDW1T3G
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- 对比
SBC847BDW1T3G
1807-SBC847BDW1T3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SBC847BDW1T3G详情
ON Semiconductor SBC847BDW1T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
380mW
终端形式
鸥翼
频率
100MHz
基本部件号
BC847BD
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
380mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SBC847BDW1T3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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