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价格梯度

内地含税价

1

￥5.722007
10

￥5.39812
100

￥5.092567
500

￥4.804305
1000

￥4.532369

ON Semiconductor SBC857CDW1T1G

Name: SBC857CDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-SBC857CDW1T1G
Price: 5.72 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SBC857CDW1T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-SBC857CDW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

起订量

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SBC857CDW1T1G ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

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SBC857CDW1T1G详情

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ON Semiconductor SBC857CDW1T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装

YES
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Number of Elements

2
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

380mW
终端形式

鸥翼
基本部件号

BC857CD
引脚数量

6
极性

PNP
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大

380mW
晶体管应用

AMPLIFIER
晶体管类型

2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

650mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

100MHz
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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SBC857CDW1T1G拓展信息

热销零件