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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.520436
10
¥8.038151
100
¥7.583161
500
¥7.153923
1000
¥6.748984
ON Semiconductor SBRV660VCTT4G
- 收藏
- 对比
SBRV660VCTT4G
1807-SBRV660VCTT4G
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SBRV660VCTT4G详情
ON Semiconductor SBRV660VCTT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SWITCHMODE™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
快速恢复能力
附加功能
自由旋转二极管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
MBRD660CT
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 60V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
700mV @ 3A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
3A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
60V
平均整流电流(Io)
3A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
60V
最大非代表Pk前进电流
75A
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
100μA
击穿电压-最小值
60V
反向测试电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SBRV660VCTT4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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