ON Semiconductor SI3457DV
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SI3457DV
1807-SI3457DV
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SuperSOT T/R
--最小包装量--
SI3457DV详情
ON Semiconductor SI3457DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
50MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-4A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
470pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.1nC @ 5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏源击穿电压
-30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SI3457DV拓展信息
ON Semiconductor
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