ON SEMICONDUCTOR SI4467DY

工厂交货时间

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表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5W