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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.835063
10
¥0.787796
100
¥0.743202
500
¥0.701135
1000
¥0.661448
ON Semiconductor SM12T1G
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- 对比
SM12T1G
1807-SM12T1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TVS DIODE 12V 19V SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SM12T1G详情
ON Semiconductor SM12T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
14.5V
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
12V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
95pF
额定功率
300W
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SM*T
引脚数量
3
工作电源电压
15.75V
工作电压
12V
极性
单向
泄漏电流
1μA
元素配置
共阳极
功率耗散
300W
电源线保护
无
电压 - 击穿
13.3V
峰值脉冲电流(10/1000μs)
12A 8/20μs
最大反向漏电电流
1μA
箝位电压
19V
峰值脉冲电流
12A
最大浪涌电流
12A
峰值脉冲功率
300W
方向
单向
测试电流
1mA
反向击穿电压
13.2V
最大击穿电压
15.75V
ESD保护
有
高度
1.01mm
长度
2.9mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SM12T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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