ON Semiconductor SNRVBD660CTT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

175°C

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SWITCHMODE™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

快速恢复能力

附加功能

自由旋转二极管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

MBRD660CT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 60V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

700mV @ 3A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

输出电流-最大值

3A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

60V

平均整流电流（Io）

3A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

60V

最大非代表Pk前进电流

75A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

100μA

击穿电压-最小值

60V

反向测试电压

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅