ON SEMICONDUCTOR SS9013G

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-92

最大耗散功率(Abs)

0.625W

集电极电流-最大值(IC)

0.5A

最小直流增益（hFE）

112

集电极-发射器电压-最大值

20V

VCEsat-最大值

0.6 V

RoHS状态

符合RoHS标准