SSVBC846BPDW1T1G
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ON Semiconductor SSVBC846BPDW1T1G

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型号

SSVBC846BPDW1T1G

utmel 编号

1807-SSVBC846BPDW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT SS DUAL GEN XSTR

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SSVBC846BPDW1T1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT SS DUAL GEN XSTR

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SSVBC846BPDW1T1G详情

ON Semiconductor SSVBC846BPDW1T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    250mV

  • hFEMin

    200

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 基本部件号

    BC846BP

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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