ON Semiconductor SVD5806NT4G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

67A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

39 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准