ON Semiconductor ULN2003ADR2G
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ULN2003ADR2G
1807-ULN2003ADR2G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC
--最小包装量--
ULN2003ADR2G详情
ON Semiconductor ULN2003ADR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
16
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Number of Elements
7
hFEMin
1000
操作温度
-20°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
UL*2003A
引脚数量
16
输出电压
50V
极性
NPN
通道数量
3
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 350mA 2V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
高度
1.5mm
长度
10mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ULN2003ADR2G拓展信息
ON Semiconductor
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