ULN2003ADR2G
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ON Semiconductor ULN2003ADR2G

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型号

ULN2003ADR2G

utmel 编号

1807-ULN2003ADR2G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC

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ULN2003ADR2G
ULN2003ADR2G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC

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库存:2209

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ULN2003ADR2G详情

ON Semiconductor ULN2003ADR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    16

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6V

  • Number of Elements

    7

  • hFEMin

    1000

  • 操作温度

    -20°C~85°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    16

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 基本部件号

    UL*2003A

  • 引脚数量

    16

  • 输出电压

    50V

  • 极性

    NPN

  • 通道数量

    3

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 晶体管类型

    7 NPN Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    1000 @ 350mA 2V

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.6V @ 500μA, 350mA

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    10mm

  • 宽度

    4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & ULN2003ADR2G相似的参数规格。

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ULN2003ADR2G拓展信息

MBT3906DW1T1G
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BC856BDW1T1G
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BC847BPDW1T1G
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ON Semiconductor

BC846BDW1T1G
BC846BDW1T1G

ON Semiconductor

MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

ON Semiconductor

BC847BDW1T3G
BC847BDW1T3G

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MMPQ2907A
MMPQ2907A

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BC847CDW1T1G
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NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G

ON Semiconductor

BC857CDW1T1G
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