ON Semiconductor UMC2NT1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

表面安装

YES

引脚数

5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

60

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

150mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

极性

PNP

配置

COMMON BASE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

150mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

50V

电阻基(R1)

22k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

22k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅