ON Semiconductor WPH4003-1E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 55W Tc

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5 Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

上升时间

21ns

漏源电压 (Vdss)

1700V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5A

漏源击穿电压

1.7kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

雪崩能量等级（Eas）

49 mJ

高度

24.5mm

长度

15.5mm

宽度

5.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅