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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 DME50B010R
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Panasonic Electronic Components DME50B010R

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型号

DME50B010R

品牌

Panasonic Electronic Components

utmel 编号

1850-DME50B010R

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm

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DME50B010R
DME50B010R Panasonic Electronic Components Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm

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DME50B010R详情

技术参数

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型号对比

Panasonic Electronic Components DME50B010R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD (5 Leads), Flat Lead

  • 引脚数

    5

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • hFEMin

    210

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    DME50

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 增益带宽积

    150MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP Complementary Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    210 @ 2mA 10V

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 高度

    600μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Panasonic Electronic Components DME50B010R.

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