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首页 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 DMS935E10R
DMS935E10R
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Panasonic Electronic Components DMS935E10R

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型号

DMS935E10R

品牌

Panasonic Electronic Components

utmel 编号

1850-DMS935E10R

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 1.6x1.6mm

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DMS935E10R
DMS935E10R Panasonic Electronic Components Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 1.6x1.6mm

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DMS935E10R详情

技术参数

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Panasonic Electronic Components DMS935E10R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    20V NPN 40V N-Channel

  • hFEMin

    100

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 应用

    CCD输出电路

  • 额定电流

    50mA NPN 10mA N-Channel

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    10mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 增益带宽积

    1.3 GHz

  • 晶体管类型

    NPN, N-Channel

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    20V

  • 转换频率

    1300MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.125W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.05A

  • 最小直流增益（hFE）

    100

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Panasonic Electronic Components DMS935E10R.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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