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Panasonic Electronic Components DSC9G0200L

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型号

DSC9G0200L

utmel 编号

1850-DSC9G0200L

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SC-89, SOT-490

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm

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DSC9G0200L Panasonic Electronic Components Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm

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DSC9G0200L详情

Panasonic Electronic Components DSC9G0200L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    SC-89, SOT-490

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • hFEMin

    65

  • Number of Elements

    1

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20V

  • 已出版

    2016

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 最大功率耗散

    125mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    DSC9G02

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    650MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    20V

  • 最大集电极电流

    15mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    65 @ 1mA 6V

  • 增益

    24dB

  • 最高频率

    650MHz

  • 转换频率

    650MHz

  • 最大击穿电压

    20V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 最高频段

    极高频率 b

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    3.3dB @ 100MHz

  • 宽度

    850μm

  • 长度

    1.6mm

  • 高度

    600μm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Panasonic Electronic Components DSC9G0200L.

右边的3个型号有着和Panasonic Electronic Components & DSC9G0200L相似的参数规格。

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DSC9G0200L拓展信息

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