Panjit 2N7002K_R2_00001

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

12000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

100 mS

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Qg - Gate Charge

800 pC

Rds On - Drain-Source Resistance

4 Ohms

Typical Turn-Off Delay Time

40 ns

Id - Continuous Drain Current

300 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N7002K_R2_00001

Drain Current-Max (ID)

0.3 A

Risk Rank

5

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

包装

Reel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

超低电阻

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

300 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

产品类别

MOSFET

辐射硬化

无