Panjit BC817-40-AU_R1_000A1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package/Enclosure

SOT-89

Power dissipation Pd

1.35W

Collector-emitter maximum voltage VCEO

45V

Collector continuous current

1A

Collector-emitter saturation voltage

500mV

DC current gain hFE

40

Characteristic frequency fT

180MHz

VEBO

5V

VCBO

45V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC817-40-AU_R1_000A1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

PanJit Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Risk Rank

5

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

250

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

100 MHz

Maximum DC Collector Current

500 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Operating temperature

-65℃~150℃

系列

-

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

330 mW

fet type

NPN

大小

4.5*2.5*1.5

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

250

集电极-发射器电压-最大值

45 V