Panjit BC847BFN3_R1_00001

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

供应商器件包装

3-DFN (0.6x1)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BC847BFN3_R1_00001

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Package Description

CHIP CARRIER, R-PBCC-N3

Risk Rank

5.03

Number of Elements

1

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Unit Weight

0.000039 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Brand

Panjit

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

250 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

100 MHz

Maximum DC Collector Current

100 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

系列

GPT-03FNN

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

250 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

45 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT