BC850CW_R1_00001
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Panjit BC850CW_R1_00001

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型号

BC850CW_R1_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-BC850CW_R1_00001

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE45V IC100mA

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BC850CW_R1_00001 Panjit Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE45V IC100mA

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BC850CW_R1_00001详情

Panjit BC850CW_R1_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-323

  • Voltage, Rating

    100 V

  • Unit Weight

    0.000176 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • RoHS

    Details

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • 系列

    GPT-02TAN

  • 包装

    Reel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 容差

    0.1 %

  • 温度系数

    100 ppm/°C

  • 电阻

    280 kΩ

  • 最高工作温度

    155 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Thin Film

  • 子类别

    Transistors

  • 额定功率

    100 mW

  • 功率 - 最大

    250 mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    420 @ 2mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    45 V

  • 频率转换

    100MHz

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 高度

    650 µm

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BC850CW_R1_00001拓展信息

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